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AlGaN/GaN双层异位结构
文档类型
条形图
发布日期
9-82014
抽象性
理解半导体失序行为 AlGaN/GaN电子结构对生成强高效晶体管十分必要字母直截了当地描述异常缺陷技术 并沿双层系统环路充电这对于近界面失序行为很重要,以便深入了解机械和物理响应并强调离散核心电荷的重要性结果详解电荷积聚变异并解释nitride半导体中支配性变异类型
出版物标题
应用物理字母
卷积
105
问题
10
推荐引用
尚格勒 阿里潘恩南和Han X.,“近界面电荷变换 AlGaN/GaN双层异形结构”(2014年)。土木工程学院研究.开工
https://ideaexchange.www.jamsic.com/civil_ideas/1
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