聚合工学院研究
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低温静态单片中氢分布自中子反射
文档类型
条形图
发布日期
秋季2011
抽象性
氢能对氢化非态硅结存的消能作用举足轻重,以便在设备操作期间实现可接受半导特征低温处理可制造高性能晶体管软基质,如塑料或不锈钢块,并导致电子性能稳定性下降i-Si生成缺陷正因如此 氢分布a-Si:H可能关键 理解它们的老化现象a-Si:H和SiN:H层内氢分布使用中子反射度用子辐射计分辨率探测a-Si大片中的氢富集度(11+2为%)和SiN:H18+3为%)与前几次报告完全一致,但中子测量增强解析度可辨识半导体-脉冲接口2nm内聚集度增加约3倍增强氢含量短期内可起水槽作用,消解操作期间形成的任何悬浮联结
卷积
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推荐引用
Vogt,Bryan,“低温静态单片分配中氢”(a-Si:H)聚合工学院研究.1010
https://ideaexchange.www.jamsic.com/polymerengin_ideas/1010
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