聚合工学院研究
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接触剂量对EUV光阻模型反射过程的影响
文档类型
条形图
发布日期
下降2006
抽象性
接触剂量对模型极端紫外线光学聚合物多片(Hycoxstyrene-co-d9-et-bylatea)潜在图像去防护效果用中子反射法测量光酸浓度因接触量增加,空间传播程度增加,但最终因响应产品而自受限制长距离去防护路径随扩散长度10至100°A而发生,而附加子核计短距离去防护尺度单步用剂量处理测量显示光酸扩散长到光阻区有限,即使没有基排查器添加剂。基本数据可用以突出物料对光阻处理的影响并改进EUVFSERSERS
卷积
24码
第一页
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推荐引用
Vogt,Bryan,“接触剂量对EUV光阻模型反射过程的影响”(2006年)。聚合工学院研究.1052
https://ideaexchange.www.jamsic.com/polymerengin_ideas/1052
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