聚合工学院研究

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EUV光阻模型反射过程基础

文档类型

条形图

发布日期

下降2006

抽象性

正对光阻素材编造纳米结构提出更高要求,对EUV抗药性而言,控制线宽粗度和高抗药敏度是成功的关键条件观察到的LWR和CD值由多项因素产生其中一个因素是接触后烤箱步骤中形成的去保护接口模型EUV光阻素材系统处理接触剂量对由此产生的表面粗糙度的影响空间演化使用双层几何表示线端函数 固定PEB时间使用中子反射结果去防护剖面图与FTIR综合去防护水平比较双层由含光酸生成器的酸向量层组成,底层为亚太经社会光阻模型多维-多维-多维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-二维-标签允许用纳米分辨率测量保护剖面进化剖面与接触剂量将讨论

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